Минпромторг запустил два проекта по созданию отечественного оборудования для эпитаксии — одного из ключевых этапов производства микросхем. Общий объём финансирования составит около 2 млрд рублей. Задача проектов — заменить западные установки, поставки которых в Россию оказались недоступны из-за санкционных ограничений.
Эпитаксия нужна для выращивания тонких полупроводниковых слоёв на пластинах. Именно такие слои позволяют создавать структуры, которые затем используются в микросхемах, высокочастотной электронике, оптоэлектронике и других технологических направлениях. Без подобного оборудования невозможно выстроить полноценную цепочку производства современных полупроводников.
Первый проект называется «Эпитаксия-SiGe». Его бюджет составляет 463,7 млн рублей. В рамках проекта нужно разработать установку для выращивания слоёв кремний-германия на кремниевых пластинах диаметром 200 мм методом газофазной эпитаксии. Такая система должна стать российским аналогом нидерландской установки ASM Epsilon 2000.
По техническому заданию в состав новой установки должны войти реактор, робот-загрузчик и модуль очистки поверхности пластин перед нанесением слоёв. Завершить работы по этому проекту планируется к июню 2029 года. Если разработка будет успешной, российские производители смогут получить важный элемент технологической базы для выпуска микросхем на собственном оборудовании.
Второй проект получил название «Цитадель». Его бюджет значительно выше — 1,5 млрд рублей. Здесь речь идёт о создании установки молекулярно-лучевой эпитаксии для получения гетероструктур на основе соединений индия, алюминия, галлия и арсенида. Такие материалы востребованы в высокочастотной электронике, оптоэлектронике, телекоммуникационном оборудовании и других сложных направлениях.
«Цитадель» должна заменить оборудование французской Riber и американской Veeco, в частности системы Riber 49 и Veeco GEN200. Завершение работ намечено на октябрь 2030 года. Сроки показывают, что речь идёт не о быстрой сборке готового аналога, а о сложной инженерной разработке, где нужно создать полноценную технологическую установку с большим количеством критичных компонентов.
Оба проекта предусматривают преимущественное использование отечественных компонентов. Это касается вакуумных систем, источников, контроллеров, программного обеспечения и других элементов. Импортные детали допускаются только в исключительных случаях. Такой подход связан с самой логикой импортозамещения: недостаточно просто собрать установку внутри страны, если её ключевые части по-прежнему зависят от внешних поставщиков.
Главная сложность подобных проектов заключается в том, что полупроводниковое оборудование требует высокой точности, стабильности процессов, чистоты среды, надёжной автоматики и сложного программного управления. В производстве чипов важна не только сама идея установки, но и способность повторяемо получать нужный результат на пластинах. Даже небольшие отклонения в процессе могут влиять на качество будущих микросхем.
Для российской микроэлектроники такие разработки имеют стратегическое значение. Производство чипов зависит не только от литографии, о которой обычно говорят чаще всего, но и от множества других этапов: очистки, травления, осаждения слоёв, контроля, измерений, упаковки и тестирования. Эпитаксиальное оборудование — один из важных элементов этой цепочки, поэтому его локализация может снизить зависимость от недоступных западных систем.
При этом сами по себе два проекта не решат всех проблем отрасли. Создание аналогов отдельных установок — только часть более длинного пути. Нужно не только разработать оборудование, но и довести его до промышленной надёжности, встроить в реальные производственные линии, обеспечить сервис, расходные материалы, программную поддержку, квалифицированных инженеров и стабильное качество процессов.
Новость показывает, что импортозамещение в микроэлектронике постепенно смещается от общих заявлений к конкретным инженерным проектам с бюджетами, сроками и техническими задачами. Если работы по «Эпитаксии-SiGe» и «Цитадели» будут выполнены успешно, Россия получит важные отечественные установки для производства полупроводниковых структур. Но практический эффект станет понятен только после того, как оборудование пройдёт испытания и сможет работать в реальном производственном цикле.